창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PHN210T,118 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PHN210T | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | TrenchMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 2.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 250pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 568-11062-2 934055451118 PHN210T /T3 PHN210T /T3-ND PHN210T,118-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PHN210T,118 | |
관련 링크 | PHN21, PHN210T,118 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
50USC10000MEFCSN25X50 | 10000µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 85°C | 50USC10000MEFCSN25X50.pdf | ||
GRM1887U1H332JA01J | 3300pF 50V 세라믹 커패시터 U2J 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1887U1H332JA01J.pdf | ||
251R14S180FV4T | 18pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.062" L x 0.032" W(1.57mm x 0.81mm) | 251R14S180FV4T.pdf | ||
VJ0805D5R6DXCAJ | 5.6pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D5R6DXCAJ.pdf | ||
GRM0336S1E8R2DD01D | 8.2pF 25V 세라믹 커패시터 S2H 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0336S1E8R2DD01D.pdf | ||
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