NXP Semiconductors PMBD6100,215
- 제조업체 부품 번호
- PMBD6100,215
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- 다이오드, 정류기 - 어레이
- 간단한 설명
- DIODE ARRAY GP 70V 215MA SOT23
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PMBD6100,215 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-PMBD6100,215 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | PMBD6100 | |
| PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 | |
| PCN 조립/원산지 | Additional Leadframe Suppliers SOT23 31/Aug/2013 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 70V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 215mA(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 4ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 50V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23(TO-236AB) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-6475-2 933859230215 PMBD6100 T/R PMBD6100 T/R-ND PMBD6100,215-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | PMBD6100,215 | |
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