NXP Semiconductors PMEG2010BEV,115
- 제조업체 부품 번호
- PMEG2010BEV,115
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- 다이오드, 정류기 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOT666
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
PMEG2010BEV,115 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 95.74045
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of PMEG2010BEV,115, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. PMEG2010BEV,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMEG2010BEV,115, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- PMEG2010BEV,115 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
PMEG2010BEV,115 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-PMEG2010BEV,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | PMEGxx10BEA,BEV | |
| PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 1A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 500mV @ 1A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 200µA @ 20V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 80pF @ 1V, 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-666 | |
| 작동 온도 - 접합 | 150°C(최대) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 568-7390-2 934058328115 PMEG2010BEV T/R PMEG2010BEV T/R-ND PMEG2010BEV,115-ND PMEG2010BEV115 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | PMEG2010BEV,115 | |
| 관련 링크 | PMEG201, PMEG2010BEV,115 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
PMEG2010BEV,115 의 관련 제품
 | CKG45NX7T2W684M500JJ | 0.68µF 450V 세라믹 커패시터 X7T 스택 SMD, 2 J리드(Lead) 0.197" L x 0.138" W(5.00mm x 3.50mm) | CKG45NX7T2W684M500JJ.pdf | |
 | C1005JB1A474K050BC | 0.47µF 10V 세라믹 커패시터 JB 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C1005JB1A474K050BC.pdf | |
 | 416F2711XADR | 27.12MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F2711XADR.pdf | |
 | BAW156E6327HTSA1 | DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23 | BAW156E6327HTSA1.pdf | |
 | DDTC143TCA-7-F | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | DDTC143TCA-7-F.pdf | |
 | H11A4X | Optoisolator Transistor with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP | H11A4X.pdf | |
 | EWT50JB50R0 | RES CHAS MNT 50 OHM 5% 50W | EWT50JB50R0.pdf | |
 | RR0510P-183-D | RES SMD 18K OHM 0.5% 1/16W 0402 | RR0510P-183-D.pdf | |
 | RG3216N-5762-D-T5 | RES SMD 57.6K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216N-5762-D-T5.pdf | |
 | PAT0805E68R1BST1 | RES SMD 68.1 OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E68R1BST1.pdf | |
 | RNF12FTD196R | RES 196 OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FTD196R.pdf | |
 | P51-3000-S-C-D-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 3000 PSI (20684.27 kPa) Sealed Gauge Male - M12 x 1.5 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-3000-S-C-D-4.5V-000-000.pdf |
