창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PMK30EP,518 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 2(1년) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PMK30EP | |
PCN 포장 | Lighter Packing Reels 30/Mar/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | TrenchMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14.9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 19m옴 @ 9.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2240pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 6.9W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 568-9694-2 934061273518 PMK30EP,518-ND PMK30EP518 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PMK30EP,518 | |
관련 링크 | PMK30, PMK30EP,518 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | RG3216V-3010-P-T1 | RES SMD 301 OHM 0.02% 1/4W 1206 | RG3216V-3010-P-T1.pdf | |
![]() | RC12JB3R00 | RES 3 OHM 1/2W 5% AXIAL | RC12JB3R00.pdf | |
![]() | RWM08453R30JB25E1 | RESISTOR 3.3OHM 11W 5% WIREWOUND | RWM08453R30JB25E1.pdf | |
![]() | HSCDDRV015PDAA5 | Pressure Sensor ±15 PSI (±103.42 kPa) Differential Male - 0.08" (1.93mm) Tube, Dual 0.5 V ~ 4.5 V 8-DIP (0.524", 13.30mm), Dual Ports, Opposite Sides | HSCDDRV015PDAA5.pdf | |
![]() | P51-200-S-G-I12-5V-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Sealed Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-200-S-G-I12-5V-000-000.pdf |