NXP Semiconductors PMN42XPE,115
- 제조업체 부품 번호
- PMN42XPE,115
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOP
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
PMN42XPE,115 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 264.27767
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of PMN42XPE,115, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. PMN42XPE,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMN42XPE,115, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- PMN42XPE,115 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
PMN42XPE,115 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-PMN42XPE,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | PMN42XPE | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 46m옴 @ 3A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.25V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17.3nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1410pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-74, SOT-457 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-10802-2 934066848115 PMN42XPE,115-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | PMN42XPE,115 | |
| 관련 링크 | PMN42X, PMN42XPE,115 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
PMN42XPE,115 의 관련 제품
 | UPW1H821MHD6TN | 820µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 8000 Hrs @ 105°C | UPW1H821MHD6TN.pdf | |
 | ECE-A1HKA010B | 1µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 85°C | ECE-A1HKA010B.pdf | |
-A.jpg) | CL21B103KBANNNC | 10000pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21B103KBANNNC.pdf | |
 | C0805C200J5GALTU | 20pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C200J5GALTU.pdf | |
 | VJ0603D3R3DXXAC | 3.3pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D3R3DXXAC.pdf | |
 | SA405A123FAA | 0.012µF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.150" Dia x 0.400" L(3.81mm x 10.16mm) | SA405A123FAA.pdf | |
 | M550B687K030AA | 680µF Hermetically Sealed Tantalum - Polymer Capacitors 30V M55 Module 25 mOhm 2.051" L x 1.992" W (52.10mm x 50.60mm) | M550B687K030AA.pdf | |
 | ABM11AIG-24.000MHZ-4Z-T3 | 24MHz ±30ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM11AIG-24.000MHZ-4Z-T3.pdf | |
 | SIT8008ACU8-28S | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 4.5mA Standby | SIT8008ACU8-28S.pdf | |
 | STPS20SM60CG-TR | DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK | STPS20SM60CG-TR.pdf | |
.jpg) | HKQ0603U2N3C-T | 2.3nH Unshielded Multilayer Inductor 460mA 240 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | HKQ0603U2N3C-T.pdf | |
| 41J1K0 | RES 1K OHM 1W 5% AXIAL | 41J1K0.pdf |
