창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PMV40UN2R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PMV40UN2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.7A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 44m옴 @ 3.7A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 900mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 635pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 490mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-236AB | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-11634-2 934068493215 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PMV40UN2R | |
관련 링크 | PMV4, PMV40UN2R Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | SIT8918AE-33-33E-30.0000000Y | OSC XO 3.3V 30MHZ OE | SIT8918AE-33-33E-30.0000000Y.pdf | |
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![]() | PM0603-56NJ-RC | 56nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 310 mOhm 0603 (1608 Metric) | PM0603-56NJ-RC.pdf | |
![]() | FP0708R1-R15-R | 150nH Unshielded Wirewound Inductor 44A 0.35 mOhm Nonstandard | FP0708R1-R15-R.pdf | |
![]() | G6B-1114P-FD-US-DC5 | General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 5VDC Coil Through Hole | G6B-1114P-FD-US-DC5.pdf | |
LVM06FTR010E-TR | RES SMD 0.01 OHM 1% 1/8W 0603 | LVM06FTR010E-TR.pdf | ||
![]() | PHP00805H1001BST1 | RES SMD 1K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805H1001BST1.pdf | |
![]() | CRCW0402150KFKTD | RES SMD 150K OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW0402150KFKTD.pdf | |
![]() | 4309R-101-123LF | RES ARRAY 8 RES 12K OHM 9SIP | 4309R-101-123LF.pdf |