NXP Semiconductors PMV48XPAR
- 제조업체 부품 번호
- PMV48XPAR
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
PMV48XPAR 가격 및 조달
가능 수량
10150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 126.13424
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of PMV48XPAR, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. PMV48XPAR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMV48XPAR, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- PMV48XPAR 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
PMV48XPAR 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-PMV48XPAR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | PMV48XPA | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 55m옴 @ 2.4A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.25V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1000pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 510mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-236AB(SOT23) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-12594-2 934067201215 PMV48XPAR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | PMV48XPAR | |
| 관련 링크 | PMV4, PMV48XPAR Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
PMV48XPAR 의 관련 제품
 | EEE-FC1A101AP | 100µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1000 Hrs @ 105°C | EEE-FC1A101AP.pdf | |
 | GRM1535C1H181JDD5D | 180pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1535C1H181JDD5D.pdf | |
 | 8Z40070007 | 40MHz ±7ppm 수정 12pF -20°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 8Z40070007.pdf | |
 | AISC-1008-R56G-T | 560nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 1.33 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | AISC-1008-R56G-T.pdf | |
 | 2020R-30J | 1.8µH Unshielded Toroidal Inductor 530mA 700 mOhm Max Radial | 2020R-30J.pdf | |
 | G3VM-62F1 | Solid State Relay DPST (2 Form A) 8-SMD (0.300", 7.62mm) | G3VM-62F1.pdf | |
 | 35201M0JT | RES SMD 1M OHM 5% 1W 2512 | 35201M0JT.pdf | |
 | CRCW1206180RFKEA | RES SMD 180 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW1206180RFKEA.pdf | |
 | ERJ-14NF1622U | RES SMD 16.2K OHM 1% 1/2W 1210 | ERJ-14NF1622U.pdf | |
 | RN73C1E1K02BTD | RES SMD 1.02KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RN73C1E1K02BTD.pdf | |
.jpg) | RE0402DRE0713K7L | RES SMD 13.7KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RE0402DRE0713K7L.pdf | |
.jpg) | CAY10-000J2LF | RES ARRAY 2 RES ZERO OHM 0404 | CAY10-000J2LF.pdf |
