NXP Semiconductors PMXB120EPE
- 제조업체 부품 번호
- PMXB120EPE
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
PMXB120EPE 가격 및 조달
가능 수량
6150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 185.32800
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of PMXB120EPE, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. PMXB120EPE can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMXB120EPE, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- PMXB120EPE 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
PMXB120EPE 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-PMXB120EPE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | PMXB120EPE | |
| 주요제품 | DFN1010 Transistors in a 1.1 mm² Leadless Plastic Package | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 2.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 309pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 400mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-XDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | DFN1010D-3 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | 568-10943-2 934067154147 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | PMXB120EPE | |
| 관련 링크 | PMXB1, PMXB120EPE Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
PMXB120EPE 의 관련 제품
 | UMT1H2R2MCD2TP | 2.2µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UMT1H2R2MCD2TP.pdf | |
 | 226SML6R3M | 22µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 21.1 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | 226SML6R3M.pdf | |
 | 08052U680GAT9A | 68pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08052U680GAT9A.pdf | |
 | 416F400X2CAT | 40MHz ±15ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F400X2CAT.pdf | |
 | DRA3123J0L | TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3 | DRA3123J0L.pdf | |
 | 784776168 | 68µH Unshielded Wirewound Inductor 1.19A 220 mOhm Max Nonstandard | 784776168.pdf | |
 | HM66A-1050101NLF13 | 100µH Shielded Wirewound Inductor 1.09A 247 mOhm Max Nonstandard | HM66A-1050101NLF13.pdf | |
 | RL0510S-R22-F | RES SMD 0.22 OHM 1% 1/6W 0402 | RL0510S-R22-F.pdf | |
 | ERJ-1TYJ681U | RES SMD 680 OHM 5% 1W 2512 | ERJ-1TYJ681U.pdf | |
 | UCR18EVHJSR075 | RES SMD 0.075 OHM 5% 1/2W 1206 | UCR18EVHJSR075.pdf | |
| CMF70681R00FKBF | RES 681 OHM 1.75W 1% AXIAL | CMF70681R00FKBF.pdf | |
 | ACA-106-T | 1.575GHz, 1.602GHz Beidou, GLONASS, GNSS, GPS Chip RF Antenna 1.56GHz ~ 1.61GHz 3.28dBi Solder Surface Mount | ACA-106-T.pdf |
