NXP Semiconductors PMXB350UPEZ

PMXB350UPEZ
제조업체 부품 번호
PMXB350UPEZ
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
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PMXB350UPEZ 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PMXB350UPEZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서PMXB350UPE
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1.2A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs447m옴 @ 1.2A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)950mV @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs2.3nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds116pF @ 10V
전력 - 최대360mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스3-XDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지DFN1010D-3
표준 포장 5,000
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)PMXB350UPEZ
관련 링크PMXB3, PMXB350UPEZ Datasheet, NXP Semiconductors Distributor
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