NXP Semiconductors PMZB1200UPEYL
- 제조업체 부품 번호
- PMZB1200UPEYL
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 30V SOT883
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
PMZB1200UPEYL 가격 및 조달
가능 수량
21150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 51.87207
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of PMZB1200UPEYL, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. PMZB1200UPEYL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMZB1200UPEYL, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- PMZB1200UPEYL 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
PMZB1200UPEYL 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-PMZB1200UPEYL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | PMZB1200UPE | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 410mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 410mA, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 950mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.2nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 43.2pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 310mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | DFN1006B-3 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 568-12611-2 934069332315 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | PMZB1200UPEYL | |
| 관련 링크 | PMZB12, PMZB1200UPEYL Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
PMZB1200UPEYL 의 관련 제품
 | UPW2V3R3MPH | 3.3µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UPW2V3R3MPH.pdf | |
 | T95R187K016LSAL | 180µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 16V 2824 (7260 Metric) 55 mOhm 0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm) | T95R187K016LSAL.pdf | |
 | 0239.250MRET1P | FUSE GLASS 250MA 250VAC 5X20MM | 0239.250MRET1P.pdf | |
 | B57238S509M51 | ICL 5 OHM 20% 6.4A 16MM | B57238S509M51.pdf | |
.jpg) | CT2520DB26000C0FZZA1 | 26MHz ±10ppm 수정 7pF 30옴 -25°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CT2520DB26000C0FZZA1.pdf | |
 | 416F27011CSR | 27MHz ±10ppm 수정 시리즈 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27011CSR.pdf | |
 | BZX55B3V0-TAP | DIODE ZENER 3V 500MW DO35 | BZX55B3V0-TAP.pdf | |
 | 1N4751A-TAP | DIODE ZENER 30V 1.3W DO41 | 1N4751A-TAP.pdf | |
 | IRFD9010PBF | MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP | IRFD9010PBF.pdf | |
 | ERJ-PA3F3572V | RES SMD 35.7K OHM 1% 1/4W 0603 | ERJ-PA3F3572V.pdf | |
 | CRCW0201140KFKED | RES SMD 140K OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW0201140KFKED.pdf | |
 | LXMS31ACNA-010 | RFID Tag Read/Write 512b (User) Memory 865MHz ~ 955MHz Encapsulated | LXMS31ACNA-010.pdf |
