창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PMZB350UPE,315 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PMZB350UPE | |
주요제품 | NXP - RDS(on) MOSFETs in Ultra-Small Packages | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 Leadframe Material Update 20/Mar/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 450밀리옴 @ 300mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 950mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.9nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 127pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 360mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
공급 장치 패키지 | 3-DFN1006B(.60x1) | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 568-10449-2 934066841315 PMZB350UPE,315-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PMZB350UPE,315 | |
관련 링크 | PMZB350, PMZB350UPE,315 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | RCP0603B75R0JS2 | RES SMD 75 OHM 5% 3.9W 0603 | RCP0603B75R0JS2.pdf | |
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![]() | CRCW12066R04FNTA | RES SMD 6.04 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12066R04FNTA.pdf | |
![]() | P51-50-A-G-P-20MA-000-000 | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Absolute Male - 1/8" (3.18mm) NPT 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-50-A-G-P-20MA-000-000.pdf |