창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PMZB600UNEYL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PMZB600UNE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 600mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 620m옴 @ 600mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 950mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.7nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 21.3pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 360mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
공급 장치 패키지 | DFN1006B-3 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 568-12618-2 934068788315 PMZB600UNEYL-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PMZB600UNEYL | |
관련 링크 | PMZB60, PMZB600UNEYL Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | CL05C121JB5NNND | 120pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CL05C121JB5NNND.pdf | |
![]() | VY1272M51Y5UQ6UV0 | 2700pF 760VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.512" Dia(13.00mm) | VY1272M51Y5UQ6UV0.pdf | |
![]() | VJ0805D6R8BXAAC | 6.8pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D6R8BXAAC.pdf | |
![]() | RM 1V1 | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | RM 1V1.pdf | |
![]() | GKR26/14 | DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4 | GKR26/14.pdf | |
![]() | 1537-46G | 24µH Unshielded Molded Inductor 202mA 2.5 Ohm Max Axial | 1537-46G.pdf | |
![]() | ERA-14EB332U | RES SMD 3.3K OHM 0.1% 1/4W 1210 | ERA-14EB332U.pdf | |
![]() | TNPW1206750KBEEN | RES SMD 750K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW1206750KBEEN.pdf | |
![]() | H8261KBZA | RES 261K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H8261KBZA.pdf | |
![]() | F3SJ-A1620P55 | F3SJ-A1620P55 | F3SJ-A1620P55.pdf |