창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PSMN0R9-30YLDX | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PSMN0R9-30YLD | |
주요제품 | NextPower-S3 30 V and 40 V MOSFETs | |
PCN 설계/사양 | New Clip Design 29/Apr/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Site Transfer 04/Feb/2015 Wafer Fab Site Transfer 24/Sep/2015 | |
PCN 포장 | Lighter Reel Update 29/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.87m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 109nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7668pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 349W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-1023, 4-LFPAK | |
공급 장치 패키지 | LFPAK, 전원-SO8 | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | 568-11554-2 934068233115 PSMN0R9-30YLDX-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PSMN0R9-30YLDX | |
관련 링크 | PSMN0R9, PSMN0R9-30YLDX Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | CRG2010F2K2 | RES SMD 2.2K OHM 1% 1/2W 2010 | CRG2010F2K2.pdf | |
![]() | RG1005P-221-W-T5 | RES SMD 220 OHM 0.05% 1/16W 0402 | RG1005P-221-W-T5.pdf | |
![]() | CRCW1206137RFKTA | RES SMD 137 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW1206137RFKTA.pdf | |
![]() | RNF12BTD255R | RES 255 OHM 1/2W .1% AXIAL | RNF12BTD255R.pdf | |
![]() | P51-200-A-Y-I12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-200-A-Y-I12-4.5V-000-000.pdf |