창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PSMN1R2-25YLDX | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 면제 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | ||
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PSMN1R2-25YLD | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-channel, 쇼트키, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2 m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60.3nC @ 10V | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4327pF @ 12V | |
전력 - 최대 | 172W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | |
공급 장치 패키지 | LFPAK, 전원-SO8 | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | 568-12928-2 934069909115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PSMN1R2-25YLDX | |
관련 링크 | PSMN1R2, PSMN1R2-25YLDX Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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CDH53NP-181JC | 180µH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 2.66 Ohm Max Nonstandard | CDH53NP-181JC.pdf | ||
![]() | UP5S-470-R | 47µH Shielded Wirewound Inductor 2.45A 80 mOhm Max Nonstandard | UP5S-470-R.pdf | |
![]() | S1812R-473J | 47µH Shielded Inductor 242mA 3.4 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | S1812R-473J.pdf | |
![]() | TRR03EZPF1051 | RES SMD 1.05K OHM 1% 1/10W 0603 | TRR03EZPF1051.pdf | |
![]() | AA0402FR-07178KL | RES SMD 178K OHM 1% 1/16W 0402 | AA0402FR-07178KL.pdf | |
![]() | CMF5563R400DHEB | RES 63.4 OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF5563R400DHEB.pdf | |
![]() | OP801WSL | PHOTOTRANSISTOR NPN 890NM TO-18 | OP801WSL.pdf |