NXP Semiconductors PSMN2R0-25MLDX
- 제조업체 부품 번호
- PSMN2R0-25MLDX
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- PSMN2R0-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
PSMN2R0-25MLDX 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 314.90934
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of PSMN2R0-25MLDX, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. PSMN2R0-25MLDX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN2R0-25MLDX, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- PSMN2R0-25MLDX 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
PSMN2R0-25MLDX 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-PSMN2R0-25MLDX | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 면제 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | PSMN2R0-25MLD | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-channel, 쇼트키, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.27 m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34.4nC @ 10V | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2490pF @ 12V | |
| 전력 - 최대 | 74W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-1210, 8-LFPAK33(5리드) | |
| 공급 장치 패키지 | LFPAK33 | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | 568-12933-2 934069915115 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | PSMN2R0-25MLDX | |
| 관련 링크 | PSMN2R0, PSMN2R0-25MLDX Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
PSMN2R0-25MLDX 의 관련 제품
 | UVZ1V220MDD | 22µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UVZ1V220MDD.pdf | |
 | A181K15X7RF5UAA | 180pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.098" Dia x 0.150" L(2.50mm x 3.80mm) | A181K15X7RF5UAA.pdf | |
.jpg) | CGA3E2X7R2A103M080AE | 10000pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E2X7R2A103M080AE.pdf | |
 | VJ0805D1R2DLXAC | 1.2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R2DLXAC.pdf | |
-2.jpg) | 1808HA470MAT1A | 47pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808HA470MAT1A.pdf | |
 | VJ0402D360GLXAP | 36pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D360GLXAP.pdf | |
| SIT8008AI-83-33E-33.333330T | OSC XO 3.3V 33.33333MHZ OE | SIT8008AI-83-33E-33.333330T.pdf | |
 | ASCO-25.000MHZ-EK-T | 25MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 6mA Enable/Disable | ASCO-25.000MHZ-EK-T.pdf | |
 | LQH55DN221M03L | 220µH Unshielded Wirewound Inductor 320mA 3.36 Ohm Max 2220 (5750 Metric) | LQH55DN221M03L.pdf | |
| HSC20010KJ | RES CHAS MNT 10K OHM 5% 200W | HSC20010KJ.pdf | |
 | RSMF3JT2K70 | RES METAL OX 3W 2.7K OHM 5% AXL | RSMF3JT2K70.pdf | |
| RR02J2R0TB | RES 2.0 OHM 2W 5% AXIAL | RR02J2R0TB.pdf |
