창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PSMN2R1-60CSJ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | 934067536118 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | - | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
FET 유형 | - | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | - | |
패키지/케이스 | - | |
공급 장치 패키지 | - | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PSMN2R1-60CSJ | |
관련 링크 | PSMN2R, PSMN2R1-60CSJ Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | VJ0805D561MLXAJ | 560pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D561MLXAJ.pdf | |
![]() | ES3F-M3/9AT | DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB | ES3F-M3/9AT.pdf | |
![]() | RN1907FE,LF(CB | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | RN1907FE,LF(CB.pdf | |
AIUR-06-182K | 1.8mH Unshielded Wirewound Inductor 460mA 1.8 Ohm Max Radial | AIUR-06-182K.pdf | ||
![]() | SD18-1R5-R | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 2.73A 34.5 mOhm Nonstandard | SD18-1R5-R.pdf | |
![]() | CRCW2512200KJNTG | RES SMD 200K OHM 5% 1W 2512 | CRCW2512200KJNTG.pdf | |
![]() | PLTT0805Z3652AGT5 | RES SMD 36.5KOHM 0.05% 1/4W 0805 | PLTT0805Z3652AGT5.pdf | |
![]() | Y1365V0237QT0U | RES ARRAY 4 RES MULT OHM 8SOIC | Y1365V0237QT0U.pdf | |
![]() | MBA02040C3321FRP00 | RES 3.32K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C3321FRP00.pdf | |
![]() | CMF553K0000FHRE | RES 3K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF553K0000FHRE.pdf | |
![]() | 70230-3709 | SAFETY LIGHT CURTAIN | 70230-3709.pdf |