NXP Semiconductors PSMN2R8-40PS,127
- 제조업체 부품 번호
- PSMN2R8-40PS,127
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 40V TO220AB
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
PSMN2R8-40PS,127 가격 및 조달
가능 수량
5403 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 995.36000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of PSMN2R8-40PS,127, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. PSMN2R8-40PS,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN2R8-40PS,127, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- PSMN2R8-40PS,127 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
PSMN2R8-40PS,127 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-PSMN2R8-40PS,127 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | PSMN2R8-40PS | |
| PCN 조립/원산지 | Additional Wafer Fab Source 28/Apr/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 71nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4491pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 211W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 568-7513-5 934063986127 PSMN2R8-40PS,127-ND PSMN2R840PS127 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | PSMN2R8-40PS,127 | |
| 관련 링크 | PSMN2R8-, PSMN2R8-40PS,127 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
PSMN2R8-40PS,127 의 관련 제품
 | EEF-SX0E331XE | 330µF 2.5V Aluminum - Polymer Capacitors 2917 (7343 Metric) 6 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | EEF-SX0E331XE.pdf | |
 | 06035A5R5CAT2A | 5.5pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035A5R5CAT2A.pdf | |
 | KP1830210635 | 1000pF Film Capacitor 250V 630V Polypropylene (PP) Radial 0.283" L x 0.177" W (7.20mm x 4.50mm) | KP1830210635.pdf | |
 | GTCR38-231M-Q10-FS | GDT 230V 20% 10KA T/H FAIL SHORT | GTCR38-231M-Q10-FS.pdf | |
 | SG-210STF 4.0000ML | 4MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.6 V ~ 3.6 V 1.8mA Standby (Power Down) | SG-210STF 4.0000ML.pdf | |
 | ESH3D-E3/57T | DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB | ESH3D-E3/57T.pdf | |
| 160-103JS | 10µH Unshielded Inductor 200mA 3.2 Ohm Max Nonstandard | 160-103JS.pdf | |
| EL816(S1)(X)(TA)-V | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-SMD | EL816(S1)(X)(TA)-V.pdf | |
 | ERJ-B2AJ360V | RES SMD 36 OHM 3/4W 1206 WIDE | ERJ-B2AJ360V.pdf | |
.jpg) | CAY10-5R1J4LF | RES ARRAY 4 RES 5.1 OHM 0804 | CAY10-5R1J4LF.pdf | |
 | WW1FT2R15 | RES 2.15 OHM 1W 1% AXIAL | WW1FT2R15.pdf | |
 | NJM2593V-TE1 | RF IC 20-SSOP | NJM2593V-TE1.pdf |
