창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PSMN3R3-60PLQ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 면제 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PSMN3R3-60PL | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 130A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10115pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 293W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 568-10166-5 934067501127 PSMN3R360PLQ | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PSMN3R3-60PLQ | |
관련 링크 | PSMN3R, PSMN3R3-60PLQ Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | 406C35D10M00000 | 10MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 406C35D10M00000.pdf | |
![]() | FMU-G16S | DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F-2L | FMU-G16S.pdf | |
![]() | 3EZ14D5/TR8 | DIODE ZENER 14V 3W DO204AL | 3EZ14D5/TR8.pdf | |
![]() | SIR862DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 | SIR862DP-T1-GE3.pdf | |
![]() | AC1218FK-0756RL | RES SMD 56 OHM 1W 1812 WIDE | AC1218FK-0756RL.pdf | |
![]() | CPF1206B332KE1 | RES SMD 332K OHM 0.1% 1/8W 1206 | CPF1206B332KE1.pdf | |
![]() | PE0603FRM470R01L | RES SMD 0.01 OHM 1% 0.4W 0603 | PE0603FRM470R01L.pdf | |
![]() | CMF60220R00FERE | RES 220 OHM 1W 1% AXIAL | CMF60220R00FERE.pdf | |
![]() | CMF6012K800BER6 | RES 12.8K OHM 1W 0.1% AXIAL | CMF6012K800BER6.pdf |