창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PSMN3R4-30BLE,118 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PSMN3R4-30BLE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.15V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 81nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4682pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 178W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | 568-10257-2 934066899118 PSMN3R4-30BLE,118-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PSMN3R4-30BLE,118 | |
관련 링크 | PSMN3R4-, PSMN3R4-30BLE,118 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | 08052U3R3BAT2A | 3.3pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08052U3R3BAT2A.pdf | |
![]() | D100D20C0GH63L6 | 10pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.197" Dia(5.00mm) | D100D20C0GH63L6.pdf | |
![]() | 185683J250RFB-F | 0.068µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.177" W (7.20mm x 4.50mm) | 185683J250RFB-F.pdf | |
![]() | 4302-014LF | 0.05µF Feed Through Capacitor 50V 10A Axial | 4302-014LF.pdf | |
![]() | LBR2518T100M | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 235mA 190 mOhm 1007 (2518 Metric) | LBR2518T100M.pdf | |
![]() | ERJ-PA3F8451V | RES SMD 8.45K OHM 1% 1/4W 0603 | ERJ-PA3F8451V.pdf | |
![]() | MCR10EZPJ395 | RES SMD 3.9M OHM 5% 1/8W 0805 | MCR10EZPJ395.pdf | |
![]() | Y118916K0000VR13L | RES 16K OHM 0.6W 0.005% RADIAL | Y118916K0000VR13L.pdf | |
![]() | Y0012680K000F9L | RES 680K OHM 0.8W 1% RADIAL | Y0012680K000F9L.pdf |