창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PSMN3R4-30PL,127 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PSMN3R4-30PL | |
PCN 조립/원산지 | Additional Wafer Fab Source 28/Apr/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.15V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3907pF @ 12V | |
전력 - 최대 | 114W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 568-7514-5 934064004127 PSMN3R4-30PL,127-ND PSMN3R430PL127 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PSMN3R4-30PL,127 | |
관련 링크 | PSMN3R4-, PSMN3R4-30PL,127 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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C3216CH2W822K115AA | 8200pF 450V 세라믹 커패시터 CH 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C3216CH2W822K115AA.pdf | ||
SQCB7A390GAJWE | 39pF 500V 세라믹 커패시터 A 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCB7A390GAJWE.pdf | ||
MKP385411016JD02G0 | 0.11µF Film Capacitor 110V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | MKP385411016JD02G0.pdf | ||
T95R397M6R3HZAS | 390µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 6.3V 2824 (7260 Metric) 130 mOhm 0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm) | T95R397M6R3HZAS.pdf | ||
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SI1014-C-GM2R | IC RF TxRx + MCU General ISM < 1GHz EZRadioPro 240MHz ~ 960MHz 42-VFLGA Exposed Pad | SI1014-C-GM2R.pdf |