창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PSMN4R2-30MLDX | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PSMN4R2-30MLD | |
주요제품 | NextPowerS3MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Site Transfer 04/Feb/2015 Wafer Fab Site Transfer 24/Aug/2015 | |
PCN 포장 | Lighter Reel Update 29/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-channel, 쇼트키, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.3m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29.3nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1795pF 15V | |
전력 - 최대 | 65W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-1210, 8-LFPAK33(5리드) | |
공급 장치 패키지 | LFPAK33 | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | 568-11376-2 934067971115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PSMN4R2-30MLDX | |
관련 링크 | PSMN4R2, PSMN4R2-30MLDX Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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GQM1555C2D2R4WB01D | 2.4pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GQM1555C2D2R4WB01D.pdf | ||
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402F24033CDR | 24MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F24033CDR.pdf | ||
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