NXP Semiconductors PSMN4R3-100PS,127
- 제조업체 부품 번호
- PSMN4R3-100PS,127
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
PSMN4R3-100PS,127 가격 및 조달
가능 수량
7287 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,612.35400
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of PSMN4R3-100PS,127, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. PSMN4R3-100PS,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN4R3-100PS,127, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- PSMN4R3-100PS,127 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
PSMN4R3-100PS,127 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-PSMN4R3-100PS,127 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | PSMN4R3-100PS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.3m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9900pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 338W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 568-8595-5 934066115127 PSMN4R3100PS127 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | PSMN4R3-100PS,127 | |
| 관련 링크 | PSMN4R3-, PSMN4R3-100PS,127 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
PSMN4R3-100PS,127 의 관련 제품
 | 04025A820JAT2A | 82pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 04025A820JAT2A.pdf | |
 | VJ0805D680KXXAJ | 68pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D680KXXAJ.pdf | |
| VJ0805D750GLXAC | 75pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D750GLXAC.pdf | |
| HFE332MBFEH0KR | 3300pF 6000V(6kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.827" Dia(21.00mm) | HFE332MBFEH0KR.pdf | |
| BFC242004702 | Film Capacitor Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.177" W (7.20mm x 4.50mm) | BFC242004702.pdf | |
 | FA-128 27.1200MD30Z-K5 | 27.12MHz ±30ppm 수정 10pF 60옴 -20°C ~ 75°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-128 27.1200MD30Z-K5.pdf | |
| SIT8918BA-32-33E-6.780000Y | OSC XO 3.3V 6.78MHZ OE | SIT8918BA-32-33E-6.780000Y.pdf | |
 | CMSSH-3C TR | DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SMC | CMSSH-3C TR.pdf | |
 | MCR25JZHF5112 | RES SMD 51.1K OHM 1% 1/4W 1210 | MCR25JZHF5112.pdf | |
.jpg) | TNPW1206243KBEEA | RES SMD 243K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW1206243KBEEA.pdf | |
 | CMF5510K000JKRE | RES 10K OHM 1/2W 5% AXIAL | CMF5510K000JKRE.pdf | |
| CMF551K0500BHEB | RES 1.05K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF551K0500BHEB.pdf |
