창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PSMN4R3-100PS,127 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PSMN4R3-100PS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.3m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9900pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 338W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 568-8595-5 934066115127 PSMN4R3100PS127 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PSMN4R3-100PS,127 | |
관련 링크 | PSMN4R3-, PSMN4R3-100PS,127 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | VJ0603D3R9DXBAJ | 3.9pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D3R9DXBAJ.pdf | |
![]() | CD42FD223JO3+GXZ | MICA | CD42FD223JO3+GXZ.pdf | |
![]() | T491R106K010AT | 10µF Molded Tantalum Capacitors 10V 0805 (2012 Metric) 30 Ohm 0.079" L x 0.051" W (2.00mm x 1.30mm) | T491R106K010AT.pdf | |
![]() | 425F35E024M0000 | 24MHz ±30ppm 수정 20pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 425F35E024M0000.pdf | |
![]() | 416F37412AKT | 37.4MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37412AKT.pdf | |
![]() | SIT1602BC-33-33E-10.000000T | OSC XO 3.3V 10MHZ OE | SIT1602BC-33-33E-10.000000T.pdf | |
![]() | MLP2016H4R7MT0S1 | 4.7µH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 200 mOhm Max 0806 (2016 Metric) | MLP2016H4R7MT0S1.pdf | |
![]() | 4922R-46H | 5.6mH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 40 Ohm Max 2-SMD | 4922R-46H.pdf | |
![]() | ERJ-6ENF9091V | RES SMD 9.09K OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-6ENF9091V.pdf | |
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