NXP Semiconductors PSMN5R3-25MLDX
- 제조업체 부품 번호
- PSMN5R3-25MLDX
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- PSMN5R3-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
PSMN5R3-25MLDX 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 196.89247
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of PSMN5R3-25MLDX, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. PSMN5R3-25MLDX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN5R3-25MLDX, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- PSMN5R3-25MLDX 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
PSMN5R3-25MLDX 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-PSMN5R3-25MLDX | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 면제 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | PSMN5R3-25MLD | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.9 m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 858pF @ 12V | |
| 전력 - 최대 | 51W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-1210, 8-LFPAK33(5리드) | |
| 공급 장치 패키지 | LFPAK33 | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | 568-12935-2 934069917115 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | PSMN5R3-25MLDX | |
| 관련 링크 | PSMN5R3, PSMN5R3-25MLDX Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
PSMN5R3-25MLDX 의 관련 제품
 | 227KXM010M | 220µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 1.4318 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | 227KXM010M.pdf | |
 | UST1H3R3MDD1TE | 3.3µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UST1H3R3MDD1TE.pdf | |
 | 026302.5WRT2 | FUSE BOARD MNT 2.5A 250VAC AXIAL | 026302.5WRT2.pdf | |
 | 445A31G13M00000 | 13MHz ±30ppm 수정 30pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A31G13M00000.pdf | |
| SIT8008BI-22-33E-4.608000D | OSC XO 3.3V 4.608MHZ OE | SIT8008BI-22-33E-4.608000D.pdf | |
 | LQW15AN6N2B00D | 6.2nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 90 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQW15AN6N2B00D.pdf | |
 | RCH895NP-102K | 1mH Unshielded Wirewound Inductor 220mA 1.84 Ohm Max Radial | RCH895NP-102K.pdf | |
 | FP1107R1-R30-R | 300nH Unshielded Wirewound Inductor 55A 0.29 mOhm Nonstandard | FP1107R1-R30-R.pdf | |
.jpg) | PS2703-1-V-F3-A | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SOP | PS2703-1-V-F3-A.pdf | |
 | AC1206JR-072R7L | RES SMD 2.7 OHM 5% 1/4W 1206 | AC1206JR-072R7L.pdf | |
| L1210R470MDWIT | 47µH Wirewound Inductor 480mA 670 mOhm 1210 (3225 Metric) | L1210R470MDWIT.pdf | |
| P51-1000-S-O-P-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Sealed Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-1000-S-O-P-4.5OVP-000-000.pdf |
