NXP Semiconductors PSMN5R5-60YS,115

PSMN5R5-60YS,115
제조업체 부품 번호
PSMN5R5-60YS,115
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
Datesheet 다운로드
다운로드
PSMN5R5-60YS,115 가격 및 조달

가능 수량

16150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 611.43413
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of PSMN5R5-60YS,115, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. PSMN5R5-60YS,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN5R5-60YS,115, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
PSMN5R5-60YS,115 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PSMN5R5-60YS,115 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PSMN5R5-60YS,115
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서PSMN5R5-60YS
PCN 설계/사양Solder Material Update 14/Sep/2015
PCN 조립/원산지Wafer Fab Addition 12/May/2014
Leadframe Supplier Add 13/Jun/2016
PCN 포장Leader/Trailer Update 03/Apr/2015
Lighter Reel Update 29/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C100A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs5.2m옴 @ 15A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs56nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds3501pF @ 30V
전력 - 최대130W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
공급 장치 패키지LFPAK, 전원-SO8
표준 포장 1,500
다른 이름568-4973-2
934064397115
PSMN5R560YS115
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)PSMN5R5-60YS,115
관련 링크PSMN5R5-, PSMN5R5-60YS,115 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor
PSMN5R5-60YS,115 의 관련 제품
47µF 4V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) CL21A476MR9NVNC.pdf
15pF 400VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) C901U150JYSDAAWL20.pdf
91pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) 08051U910FAT9A.pdf
3000pF 14000V(14kV) 세라믹 커패시터 디스크, 금속 피팅 - 스레딩 7.874" Dia(200.00mm) PC0200WJ30238BJ1.pdf
38MHz ±30ppm 수정 12pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F38035CLR.pdf
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD123 BAS21H,115.pdf
TRANS PNP 25V 5A DPAK MJD210RLG.pdf
4.9µH Shielded Wirewound Inductor 3.2A 31 mOhm Max Nonstandard SD7030-5R0-R.pdf
RES SMD 412K OHM 0.1% 1/8W 0805 ERA-6AEB4123V.pdf
RES SMD 51K OHM 5% 1/4W 0603 ESR03EZPJ513.pdf
RES SMD 121K OHM 0.1% 1/10W 0805 CPF0805B121KE1.pdf
RES SMD 120 OHM 0.05% 1/10W 0603 RG1608P-121-W-T5.pdf