NXP Semiconductors PSMN7R0-100ES,127
_SOT226-Pkg.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- PSMN7R0-100ES,127
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V I2PAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
PSMN7R0-100ES,127 가격 및 조달
가능 수량
2081 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,459.00100
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of PSMN7R0-100ES,127, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. PSMN7R0-100ES,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN7R0-100ES,127, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- PSMN7R0-100ES,127 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
PSMN7R0-100ES,127 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-PSMN7R0-100ES,127 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | PSMN7R0-100ES | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.8m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 125nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6686pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 269W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | I2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 568-7516-5 934064292127 PSMN7R0-100ES,127-ND PSMN7R0100ES127 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | PSMN7R0-100ES,127 | |
| 관련 링크 | PSMN7R0-, PSMN7R0-100ES,127 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
PSMN7R0-100ES,127 의 관련 제품
-C.jpg) | CL31C182JBCNNNC | 1800pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CL31C182JBCNNNC.pdf | |
 | CDV30FJ101GO3F | MICA | CDV30FJ101GO3F.pdf | |
 | 1.5KE68A-B | TVS DIODE 58.1VWM 92VC AXIAL | 1.5KE68A-B.pdf | |
| 402F540XXCDR | 54MHz ±15ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F540XXCDR.pdf | |
| OP292B | Infrared (IR) Emitter 890nm 1.75V 150mA 50° T 1 3/4 | OP292B.pdf | |
 | PM1608-2R2M-RC | 2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 2.4A 70 mOhm Max Nonstandard | PM1608-2R2M-RC.pdf | |
| CDH113NP-271KC | 270µH Unshielded Wirewound Inductor 370mA 1.13 Ohm Max Nonstandard | CDH113NP-271KC.pdf | |
.jpg) | RE0603DRE072K2L | RES SMD 2.2K OHM 0.5% 1/10W 0603 | RE0603DRE072K2L.pdf | |
 | ERJ-PA3D1690V | RES SMD 169 OHM 0.5% 1/4W 0603 | ERJ-PA3D1690V.pdf | |
.jpg) | RT0805CRE0718K2L | RES SMD 18.2KOHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRE0718K2L.pdf | |
| ATT-0640-20-HEX-02 | RF Attenuator 20dB ±1dB 0Hz ~ 4GHz 1W HEX In-Line Module | ATT-0640-20-HEX-02.pdf | |
 | BH1620FVC-TR | Optical Sensor Ambient 560nm Current SOT-665 | BH1620FVC-TR.pdf |
