창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PSMN7R5-30YLDX | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PSMN7R5-30YLD | |
주요제품 | NextPowerS3MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Site Transfer 04/Feb/2015 Wafer Fab Site Transfer 24/Aug/2015 Additional Frame Supplier 13/Jun/2016 | |
PCN 포장 | Lighter Reel Update 29/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 51A(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11.3nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 655pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 34W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | |
공급 장치 패키지 | LFPAK, 전원-SO8 | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | 568-11378-2 934067967115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PSMN7R5-30YLDX | |
관련 링크 | PSMN7R5, PSMN7R5-30YLDX Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | CL21C222JBFNNNG | 2200pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21C222JBFNNNG.pdf | |
![]() | VJ1206Y153KBBAT4X | 0.015µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206Y153KBBAT4X.pdf | |
![]() | 201S42E331FV4E | 330pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 201S42E331FV4E.pdf | |
![]() | 593D476X06R3B2TE3 | 47µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 1411 (3528 Metric) 550 mOhm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | 593D476X06R3B2TE3.pdf | |
![]() | T86C155M035EBAL | 1.5µF Molded Tantalum Capacitors 35V 2312 (6032 Metric) 2.6 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | T86C155M035EBAL.pdf | |
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