NXP Semiconductors PSMN8R5-100PSQ

PSMN8R5-100PSQ
제조업체 부품 번호
PSMN8R5-100PSQ
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
Datesheet 다운로드
다운로드
PSMN8R5-100PSQ 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,149.86140
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of PSMN8R5-100PSQ, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. PSMN8R5-100PSQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN8R5-100PSQ, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
PSMN8R5-100PSQ 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PSMN8R5-100PSQ 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PSMN8R5-100PSQ
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 면제 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서PSMN8R5-100PS
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C100A(Tj)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8.5m옴 @ 25A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs111nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds5512pF @ 50V
전력 - 최대263W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220AB
표준 포장 50
다른 이름568-10160-5
934067376127
PSMN8R5100PSQ
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)PSMN8R5-100PSQ
관련 링크PSMN8R5, PSMN8R5-100PSQ Datasheet, NXP Semiconductors Distributor
PSMN8R5-100PSQ 의 관련 제품
68µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C EEU-FC1C680B.pdf
1µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) 0603ZD105KAT2A.pdf
0.22µF 250V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) CGA8N3X7R2E224K230KA.pdf
56pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.080" L x 0.050" W(2.03mm x 1.27mm) 251R15S560GV4E.pdf
2.4µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.472" W (26.00mm x 12.00mm) MKP385524025JI02W0.pdf
0.075µF Film Capacitor 300V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.354" W (31.00mm x 9.00mm) BFC237668753.pdf
4MHz ±30ppm 수정 20pF 150옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US ECS-40-20-5PDN-TR.pdf
100MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 8.7mA Standby (Power Down) DSC1001DI5-100.0000T.pdf
IGBT 330V 85A 150W TO3P IXGQ85N33PCD1.pdf
470µH Unshielded Wirewound Inductor 520mA 1.7 Ohm Max Nonstandard SC105B-471.pdf
RES SMD 1.82K OHM 1% 1/2W 1210 RC1210FR-071K82L.pdf
RES 110 OHM 1W 5% AXIAL CMF60110R00JKEB.pdf