Infineon Technologies PTFB211503ELV1R0XTMA1
- 제조업체 부품 번호
- PTFB211503ELV1R0XTMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- RF FET
- 간단한 설명
- IC AMP RF LDMOS H-33288-6
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
PTFB211503ELV1R0XTMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 99,999.99999
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of PTFB211503ELV1R0XTMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. PTFB211503ELV1R0XTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PTFB211503ELV1R0XTMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- PTFB211503ELV1R0XTMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
PTFB211503ELV1R0XTMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-PTFB211503ELV1R0XTMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | PTFB211503EL,FL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | * | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 2.17GHz | |
| 이득 | 18dB | |
| 전압 - 테스트 | 30V | |
| 정격 전류 | - | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 1.2A | |
| 전력 - 출력 | 32W | |
| 전압 - 정격 | 65V | |
| 패키지/케이스 | * | |
| 공급 장치 패키지 | * | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001413934 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | PTFB211503ELV1R0XTMA1 | |
| 관련 링크 | PTFB211503, PTFB211503ELV1R0XTMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
PTFB211503ELV1R0XTMA1 의 관련 제품
| HZC107M050G24T-F | SMT-AL(V-CHIP) | HZC107M050G24T-F.pdf | |
 | LGR2D471MELZ40 | 470µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 10000 Hrs @ 105°C | LGR2D471MELZ40.pdf | |
 | 595D476X9016C8T | 47µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 16V 2812 (7132 Metric) 280 mOhm 0.280" L x 0.126" W (7.10mm x 3.20mm) | 595D476X9016C8T.pdf | |
 | AOCJYA-16.384MHZ-E | 16.384MHz CMOS OCXO Oscillator Surface Mount 5V Standby (Power Down) | AOCJYA-16.384MHZ-E.pdf | |
 | FESB8JT-E3/45 | DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB | FESB8JT-E3/45.pdf | |
 | 2EZ3.6D5/TR12 | DIODE ZENER 3.6V 2W DO204AL | 2EZ3.6D5/TR12.pdf | |
 | NTHD3102CT1G | MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A | NTHD3102CT1G.pdf | |
| AC04000003901JAC00 | RES 3.9K OHM 4W 5% AXIAL | AC04000003901JAC00.pdf | |
 | CW010270R0JE73HS | RES 270 OHM 13W 5% AXIAL | CW010270R0JE73HS.pdf | |
 | OSCAR1A/0.2M/FMEF/S/S/31 | 850MHz, 900MHz, 1.8GHz, 1.9GHz, 2.1GHz GPRS, GSM, UMTS Whip, Straight RF Antenna 5dBi Connector, FME Female Bracket Mount | OSCAR1A/0.2M/FMEF/S/S/31.pdf | |
| P51-100-G-U-I12-20MA-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Vented Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-100-G-U-I12-20MA-000-000.pdf | |
| P51-100-S-T-I12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Sealed Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-100-S-T-I12-4.5OVP-000-000.pdf |
