Vishay Thin Film PTN1206E4123BST1
- 제조업체 부품 번호
- PTN1206E4123BST1
- 제조업 자
- Vishay Thin Film
- 제품 카테고리
- 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT)
- 간단한 설명
- RES SMD 412K OHM 0.1% 0.4W 1206
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
PTN1206E4123BST1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 723.02600
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of PTN1206E4123BST1, we specialize in all series Vishay Thin Film electronic components. PTN1206E4123BST1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PTN1206E4123BST1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- PTN1206E4123BST1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
PTN1206E4123BST1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-PTN1206E4123BST1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | PTN Series Datasheet | |
| PCN 설계/사양 | PTN Material Change 17/Aug/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | PTN1206 Series 16/Jan/2013 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Vishay Thin Film | |
| 계열 | PTN | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 412k | |
| 허용 오차 | ±0.1% | |
| 전력(와트) | 0.4W | |
| 구성 | 박막 | |
| 특징 | 반황화, 내습성, 비유도 | |
| 온도 계수 | ±25ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 1206 | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
| 높이 | 0.033"(0.84mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | PTN1206E4123BST1 | |
| 관련 링크 | PTN1206E, PTN1206E4123BST1 Datasheet, Vishay Thin Film Distributor | |
PTN1206E4123BST1 의 관련 제품
.jpg) | 277LBB450M2DF | 270µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 921.04 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 85°C | 277LBB450M2DF.pdf | |
 | B43601B9687M87 | 680µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 160 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43601B9687M87.pdf | |
 | VJ1206A561JBEAT4X | 560pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206A561JBEAT4X.pdf | |
| TS260F11CDT | 26MHz ±10ppm 수정 18pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS260F11CDT.pdf | |
| SIT9001AC-83-33E1-125.00000Y | OSC XO 3.3V 125MHZ OE 1.0% | SIT9001AC-83-33E1-125.00000Y.pdf | |
 | MRF6VP3091NR1 | FET RF 2CH 115V 860MHZ TO270-4 | MRF6VP3091NR1.pdf | |
 | VLS252012ET-4R7M | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 810mA 405 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | VLS252012ET-4R7M.pdf | |
| 108R-223G | 22µH Unshielded Inductor 57mA 7.5 Ohm Max 2-SMD | 108R-223G.pdf | |
 | RG1608V-681-P-T1 | RES SMD 680 OHM 0.02% 1/10W 0603 | RG1608V-681-P-T1.pdf | |
.jpg) | CRCW06039R09FNTA | RES SMD 9.09 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06039R09FNTA.pdf | |
.jpg) | RCS04023R00JNED | RES SMD 3 OHM 5% 1/5W 0402 | RCS04023R00JNED.pdf | |
 | LR2F820K | RES 820K OHM 3/4W 1% AXIAL | LR2F820K.pdf |
