창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PTVS8V0S1UTR,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PTVSxS1UTR Series | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 1 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 8V | |
전압 - 항복(최소) | 8.89V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 13.6V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 29.4A | |
전력 - 피크 펄스 | 400W | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 자동차 | |
정전 용량 @ 주파수 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 185°C(TA) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123W | |
공급 장치 패키지 | SOD123W | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-10912-2 934065479115 PTVS8V0S1UTR,115-ND PTVS8V0S1UTR115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PTVS8V0S1UTR,115 | |
관련 링크 | PTVS8V0S, PTVS8V0S1UTR,115 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | ECS-120-20-20BM-TR | 12MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) | ECS-120-20-20BM-TR.pdf | |
![]() | Z20E | 2 Line Common Mode Choke 5A DCR 150 mOhm | Z20E.pdf | |
![]() | CDRH6D28NP-5R0NC | 5µH Shielded Inductor 2.4A 31 mOhm Max Nonstandard | CDRH6D28NP-5R0NC.pdf | |
![]() | CRCW1218300KFKTK | RES SMD 300K OHM 1% 1W 1218 | CRCW1218300KFKTK.pdf | |
![]() | PLTT0805Z3830AGT5 | RES SMD 383 OHM 0.05% 1/4W 0805 | PLTT0805Z3830AGT5.pdf | |
![]() | RCP2512W300RGS6 | RES SMD 300 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512W300RGS6.pdf | |
![]() | H83K32BDA | RES 3.32K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H83K32BDA.pdf | |
![]() | P51-1000-S-S-I36-20MA-000-000 | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Sealed Gauge Female - 1/4" (6.35mm) NPT 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-1000-S-S-I36-20MA-000-000.pdf |