창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PTZTE255.6B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PTZ5.6B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.9V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 1.5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AC, SMA | |
공급 장치 패키지 | PMDS | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | PTZTE255.6B-ND PTZTE255.6BTR PTZTE2556B | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PTZTE255.6B | |
관련 링크 | PTZTE, PTZTE255.6B Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor |
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![]() | E3ZM-T63H 2M | THRU-BEAM 0.8M NPN TR CBL 2M | E3ZM-T63H 2M.pdf |