창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PUMD12,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PEMD12,PUMD12 | |
주요제품 | NXP - I²C Interface | |
PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 Copper Bond Wire 26/Nov/2014 Copper Bond Wire Revision 26/Jan/2015 | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 47k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA | |
주파수 - 트랜지션 | 230MHz, 180MHz | |
전력 - 최대 | 300mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-6549-2 934055432115 PUMD12 T/R PUMD12 T/R-ND PUMD12,115-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PUMD12,115 | |
관련 링크 | PUMD1, PUMD12,115 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | PLT1206Z1721LBTS | RES SMD 1.72KOHM 0.01% 0.4W 1206 | PLT1206Z1721LBTS.pdf | |
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![]() | HSCSNBN002ND2A3 | Pressure Sensor ±0.07 PSI (±0.5 kPa) Differential Male - 0.19" (4.8mm) Tube, Dual 12 b 4-SIP, Dual Ports, Same Side | HSCSNBN002ND2A3.pdf |