창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PUMD6,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PEMD6,PUMD6 | |
주요제품 | NXP - I²C Interface | |
PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 Copper Bond Wire 01/Nov/2014 Copper Bond Wire 29/Nov/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1501 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | - | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 200 @ 1mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA | |
주파수 - 트랜지션 | - | |
전력 - 최대 | 300mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-5040-2 934055430115 PUMD6 T/R PUMD6 T/R-ND PUMD6,115-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PUMD6,115 | |
관련 링크 | PUMD, PUMD6,115 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | HRG3216P-1181-B-T1 | RES SMD 1.18K OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-1181-B-T1.pdf | |
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![]() | MBB02070C4758FC100 | RES 4.75 OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C4758FC100.pdf | |
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![]() | P51-300-G-A-I12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Vented Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-300-G-A-I12-4.5V-000-000.pdf |