Rohm Semiconductor QS6J11TR

QS6J11TR
제조업체 부품 번호
QS6J11TR
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
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MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
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내부 부품 번호EIS-QS6J11TR
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서QS6J11
제품 교육 모듈MOSFETs
PCN 설계/사양TSMT Package Updates 24/Dec/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 P-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)12V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2A
Rds On(최대) @ Id, Vgs105m옴 @ 2A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs6.5nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds770pF @ 6V
전력 - 최대600mW
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-74, SOT-457
공급 장치 패키지TSMT6
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)QS6J11TR
관련 링크QS6J, QS6J11TR Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor
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