창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-QS8J12TCR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | QS8J12 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 29m옴 @ 4.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4200pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 550mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
공급 장치 패키지 | TSMT8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | QS8J12TCR | |
관련 링크 | QS8J, QS8J12TCR Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor |
![]() | CGA3E1X7R1V334M080AD | 0.33µF 35V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E1X7R1V334M080AD.pdf | |
![]() | CC1210MKX5R7BB226 | 22µF 16V 세라믹 커패시터 X5R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | CC1210MKX5R7BB226.pdf | |
![]() | 1206YA682KAT2A | 6800pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 1206YA682KAT2A.pdf | |
![]() | 0NLS001.T | FUSE CRTRDGE 1A 600VAC/DC NONSTD | 0NLS001.T.pdf | |
![]() | SMBG13A/54 | TVS DIODE 13VWM 21.5VC DO215AA | SMBG13A/54.pdf | |
![]() | 016986 | 23.70625MHz 수정 표면실장(SMD, SMT) | 016986.pdf | |
![]() | 30CTQ060-1 | DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO262 | 30CTQ060-1.pdf | |
![]() | DUR75120W | DIODE RECTIFIER 75A 1200V TO247A | DUR75120W.pdf | |
![]() | ACST1035-8FP | TRIAC 800V 10A TO-220FPAB | ACST1035-8FP.pdf | |
![]() | MP4-1E-4LR-JJN-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP4-1E-4LR-JJN-00.pdf | |
![]() | CRCW121024K9FKEA | RES SMD 24.9K OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW121024K9FKEA.pdf | |
![]() | MCR50JZHF32R4 | RES SMD 32.4 OHM 1% 1/2W 2010 | MCR50JZHF32R4.pdf |