창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-R8002ANX | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | R8002ANX | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.3옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.7nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 210pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 35W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220FM | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | R8002ANX | |
관련 링크 | R800, R8002ANX Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor |
SIT9120AI-2D3-25E25.0000000T | OSC XO 2.5V 25MHZ | SIT9120AI-2D3-25E25.0000000T.pdf | ||
BZT52H-C36,115 | DIODE ZENER 36V 375MW SOD123F | BZT52H-C36,115.pdf | ||
DMG564H30R | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 | DMG564H30R.pdf | ||
GA10SICP12-263 | TRANS SJT 1200V 25A TO263-7 | GA10SICP12-263.pdf | ||
B82442H1152K | 1.5µH Unshielded Wirewound Inductor 2.2A 32 mOhm Max 2-SMD | B82442H1152K.pdf | ||
AIML-1206-R82K-T | 820nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 750 mOhm Max 1206 (3216 Metric) | AIML-1206-R82K-T.pdf | ||
CRCW2512105KFKEG | RES SMD 105K OHM 1% 1W 2512 | CRCW2512105KFKEG.pdf | ||
CRCW1210287KFKTA | RES SMD 287K OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW1210287KFKTA.pdf | ||
AT0805BRD07158RL | RES SMD 158 OHM 0.1% 1/8W 0805 | AT0805BRD07158RL.pdf | ||
RN73C1J1K15BTG | RES SMD 1.15KOHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J1K15BTG.pdf | ||
RT1206WRC0791KL | RES SMD 91K OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRC0791KL.pdf | ||
TWM7J2K7E | RES 2.7K OHM 7W 5% RADIAL | TWM7J2K7E.pdf |