창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RA103J0Q-TR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RA103J0Q Drawing RA103J0Q-TR RT Chart | |
제품 교육 모듈 | Thermistor Application | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 센서, 트랜스듀서 | |
제품군 | 온도 센서 - NTC 서미스터 | |
제조업체 | US Sensor | |
계열 | RA | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴 @ 25°C) | 10k | |
저항 허용 오차 | ±0.23°C | |
B 값 허용 오차 | - | |
B0/50 | 3900K | |
B25/50 | - | |
B25/75 | - | |
B25/85 | - | |
B25/100 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
전력 - 최대 | - | |
길이 - 리드선 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | Q3987499A | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RA103J0Q-TR | |
관련 링크 | RA103, RA103J0Q-TR Datasheet, US Sensor Distributor |
LG126Z104MAT2S1 | 0.10µF 6.3V 세라믹 커패시터 X7S 0204(0510 미터법) 0.020" L x 0.039" W(0.50mm x 1.00mm) | LG126Z104MAT2S1.pdf | ||
SA105A102FAR | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.100" Dia x 0.170" L(2.54mm x 4.32mm) | SA105A102FAR.pdf | ||
GTCN38-900M-Q10-FS | GDT 90V 20% 10KA FAIL SHORT | GTCN38-900M-Q10-FS.pdf | ||
DF5A6.2LFUTE85LF | TVS DIODE 5VWM USV | DF5A6.2LFUTE85LF.pdf | ||
MPLAD6.5KP85CA | TVS DIODE 85VWM 137VC PLAD | MPLAD6.5KP85CA.pdf | ||
445A31G30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 30pF 30옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A31G30M00000.pdf | ||
416F52012CKT | 52MHz ±10ppm 수정 8pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52012CKT.pdf | ||
VS-88HF80 | DIODE GENERAL PURPOSE 85A DO-5 | VS-88HF80.pdf | ||
1N5249TA | DIODE ZENER 19V 500MW DO35 | 1N5249TA.pdf | ||
ALSR0518R00JE12 | RES 18 OHM 5W 5% AXIAL | ALSR0518R00JE12.pdf | ||
H4P3R3FZA | RES 3.3 OHM 1W 1% AXIAL | H4P3R3FZA.pdf | ||
H8280RBYA | RES 280 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H8280RBYA.pdf |