창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RCD100N19TL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RCD100N19 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 190V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 182m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 52nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 850mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | CPT3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | RCD100N19TLTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RCD100N19TL | |
관련 링크 | RCD10, RCD100N19TL Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor |
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UPM2F010MPD1TA | 1µF 315V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C | UPM2F010MPD1TA.pdf | ||
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![]() | BFC2373FF185MI | 1.8µF Film Capacitor 100V 400V Polyester, Metallized Radial 1.024" L x 0.335" W (26.00mm x 8.50mm) | BFC2373FF185MI.pdf | |
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![]() | 402F27022IKT | 27MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F27022IKT.pdf | |
![]() | 744301047 | 470nH Shielded Wirewound Inductor 38A 0.32 mOhm Nonstandard | 744301047.pdf | |
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![]() | Y17454K87000Q3R | RES SMD 4.87K OHM 1/4W J LEAD | Y17454K87000Q3R.pdf | |
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