창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RDE5C2A470J0M1H03A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RDE Series Summary Radial Lead Type Monolithic Part Numbering Monolithic Ceramic Capacitors Catalog | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Murata Electronics North America | |
계열 | RDE | |
포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
정전 용량 | 47pF | |
허용 오차 | ±5% | |
전압 - 정격 | 100V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 방사 | |
크기/치수 | 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.236"(6.00mm) | |
두께(최대) | - | |
리드 간격 | 0.197"(5.00mm) | |
특징 | - | |
리드 유형 | * | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | 490-9110-3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RDE5C2A470J0M1H03A | |
관련 링크 | RDE5C2A47, RDE5C2A470J0M1H03A Datasheet, Murata Electronics North America Distributor |
CGA6N3X7S1H475M230AE | 4.7µF 50V 세라믹 커패시터 X7S 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | CGA6N3X7S1H475M230AE.pdf | ||
CK45-B3AD391KYNR | 390pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 B 방사형, 디스크 0.217" Dia(5.50mm) | CK45-B3AD391KYNR.pdf | ||
TAJC106M010RNJ | 10µF Molded Tantalum Capacitors 10V 2312 (6032 Metric) 2.5 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | TAJC106M010RNJ.pdf | ||
03132.25MXP | FUSE GLASS 2.25A 250VAC 3AB 3AG | 03132.25MXP.pdf | ||
IDH03G65C5 | DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2 | IDH03G65C5.pdf | ||
SD51R | DIODE SCHOTTKY REV 45V DO5 | SD51R.pdf | ||
VS-VSKL142/16PBF | MODULE DIODE 140A INT-A-PAK | VS-VSKL142/16PBF.pdf | ||
ZXMN10A25GTA | MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223 | ZXMN10A25GTA.pdf | ||
CRCW251221R0FKEG | RES SMD 21 OHM 1% 1W 2512 | CRCW251221R0FKEG.pdf | ||
RCP1206B30R0JTP | RES SMD 30 OHM 5% 11W 1206 | RCP1206B30R0JTP.pdf | ||
RSMF12FT16R2 | RES MO 1/2W 16.2 OHM 1% AXL | RSMF12FT16R2.pdf | ||
P61-750-A-A-I12-4.5V-A | Pressure Sensor 750 PSI (5171.07 kPa) Absolute Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P61-750-A-A-I12-4.5V-A.pdf |