창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RF4E080BNTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RF4E080BN | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17.6m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 660pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력UDFN | |
공급 장치 패키지 | 6-HUML2020L8(2x2) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | RF4E080BNTRTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RF4E080BNTR | |
관련 링크 | RF4E0, RF4E080BNTR Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor |
![]() | K152M15X7RH5TH5 | 1500pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K152M15X7RH5TH5.pdf | |
![]() | 315BMT | FUSE 315A 240V TYPE T FUSE | 315BMT.pdf | |
![]() | CDSOD323-T18 | TVS DIODE 18VWM 45VC SMD | CDSOD323-T18.pdf | |
![]() | 1.5KE110A-TB | TVS DIODE 94VWM 152VC AXIAL | 1.5KE110A-TB.pdf | |
![]() | 1EZ120D2E3/TR12 | DIODE ZENER 120V 1W DO204AL | 1EZ120D2E3/TR12.pdf | |
![]() | LB1608T1R0M | 1µH Unshielded Wirewound Inductor 160mA 170 mOhm 0603 (1608 Metric) | LB1608T1R0M.pdf | |
![]() | 70F916AI-RC | 9.1µH Unshielded Wirewound Inductor 288mA 1.44 Ohm Max Axial | 70F916AI-RC.pdf | |
![]() | CDEP105MENP-2R7PC | 2.7µH Shielded Inductor 8.5A 10.2 mOhm Max Nonstandard | CDEP105MENP-2R7PC.pdf | |
![]() | MCR10ERTF3003 | RES SMD 300K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10ERTF3003.pdf | |
![]() | RG1005P-1132-B-T5 | RES SMD 11.3KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005P-1132-B-T5.pdf | |
![]() | PLTT0805Z4641AGT5 | RES SMD 4.64KOHM 0.05% 1/4W 0805 | PLTT0805Z4641AGT5.pdf | |
![]() | 93J330 | RES 330 OHM 3.25W 5% AXIAL | 93J330.pdf |