Rohm Semiconductor RF4E080BNTR
- 제조업체 부품 번호
- RF4E080BNTR
- 제조업 자
- Rohm Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
RF4E080BNTR 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 241.22293
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of RF4E080BNTR, we specialize in all series Rohm Semiconductor electronic components. RF4E080BNTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RF4E080BNTR, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- RF4E080BNTR 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
RF4E080BNTR 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-RF4E080BNTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | RF4E080BN | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17.6m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 660pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력UDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 6-HUML2020L8(2x2) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RF4E080BNTRTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | RF4E080BNTR | |
| 관련 링크 | RF4E0, RF4E080BNTR Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor | |
RF4E080BNTR 의 관련 제품
 | B43540E2188M60 | 1800µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 40 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43540E2188M60.pdf | |
 | C0805C680J5GALTU | 68pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C680J5GALTU.pdf | |
 | GRM1555C1H4R7BZ01D | 4.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1H4R7BZ01D.pdf | |
 | 0674001.MXEP | FUSE CERAMIC 1A 250VAC AXIAL | 0674001.MXEP.pdf | |
 | 416F50023CLT | 50MHz ±20ppm 수정 12pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50023CLT.pdf | |
 | 30BQ150TR | DIODE SCHOTTKY 150V SMC | 30BQ150TR.pdf | |
| PE-1008CM401JTT | 400nH Unshielded Wirewound Inductor 420mA 750 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | PE-1008CM401JTT.pdf | |
 | HCPL-2200-000E | Logic Output Optoisolator 2.5MBd Tri-State 3750Vrms 1 Channel 1kV/µs CMTI 8-DIP | HCPL-2200-000E.pdf | |
 | ERJ-1GEF5113C | RES SMD 511K OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GEF5113C.pdf | |
 | ERJ-S03F8060V | RES SMD 806 OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-S03F8060V.pdf | |
.jpg) | RCS08056R80JNEA | RES SMD 6.8 OHM 5% 0.4W 0805 | RCS08056R80JNEA.pdf | |
 | CRCW0805121RFKTC | RES SMD 121 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW0805121RFKTC.pdf |
