창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RFP12N10L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RFP12N10L TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1600 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 12A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RFP12N10L | |
관련 링크 | RFP1, RFP12N10L Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | IPP50R520CPHKSA1 | MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-220 | IPP50R520CPHKSA1.pdf | |
![]() | TM7EW501 | 500 Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 3 Turn Top Adjustment | TM7EW501.pdf | |
![]() | LBC2016T4R7M | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 355mA 370 mOhm 0806 (2016 Metric) | LBC2016T4R7M.pdf | |
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![]() | S1008R-332F | 3.3µH Shielded Inductor 355mA 900 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | S1008R-332F.pdf | |
![]() | HSC300R10J | RES CHAS MNT 0.1 OHM 5% 300W | HSC300R10J.pdf | |
![]() | Y44870R02000F9R | RES SMD 0.02 OHM 1% 1W 2512 | Y44870R02000F9R.pdf | |
![]() | CR4220S-10 | Current Sensor 10A 1 Channel Transformer w/Conditioning Bidirectional Modular | CR4220S-10.pdf |