창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RFV8TG6SGC9 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RFV8TG6S | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 600V | |
전류 -평균 정류(Io) | 8A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 2.8V @ 8A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 45ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 600V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-2 | |
공급 장치 패키지 | TO-220ACFP | |
작동 온도 - 접합 | 150°C(최대) | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RFV8TG6SGC9 | |
관련 링크 | RFV8T, RFV8TG6SGC9 Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor |
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![]() | HGZ222MBPEJ0KR | 2200pF 8000V(8kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.945" Dia(24.00mm) | HGZ222MBPEJ0KR.pdf | |
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![]() | DSC1001AE1-125.0000T | 125MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 8.7mA Standby (Power Down) | DSC1001AE1-125.0000T.pdf | |
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![]() | P51-200-A-AD-I36-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Absolute Male - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-200-A-AD-I36-4.5OVP-000-000.pdf |