창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG2012N-223-W-T5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 22k | |
허용 오차 | ±0.05% | |
전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±10ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0805 | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RG2012N-223-W-T5 | |
관련 링크 | RG2012N-, RG2012N-223-W-T5 Datasheet, Susumu Distributor |
![]() | K180J10C0GH5TH5 | 18pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K180J10C0GH5TH5.pdf | |
![]() | B32620A6472K289 | 4700pF Film Capacitor 400V 630V Polypropylene (PP), Metallized - Stacked Radial 0.394" L x 0.157" W (10.00mm x 4.00mm) | B32620A6472K289.pdf | |
![]() | V510LT80BP | VARISTOR 799V 6.5KA DISC 20MM | V510LT80BP.pdf | |
![]() | 7X40000007 | 40MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 2.8V Enable/Disable | 7X40000007.pdf | |
![]() | ERJ-S03F2261V | RES SMD 2.26K OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-S03F2261V.pdf | |
![]() | RT1210FRD0751KL | RES SMD 51K OHM 1% 1/4W 1210 | RT1210FRD0751KL.pdf | |
![]() | ERJ-S1DF4323U | RES SMD 432K OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-S1DF4323U.pdf | |
![]() | CRGS2010J8K2 | RES SMD 8.2K OHM 5% 3/4W 2010 | CRGS2010J8K2.pdf | |
![]() | RG1005V-2210-D-T10 | RES SMD 221 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005V-2210-D-T10.pdf | |
![]() | CRCW0402110RJNTD | RES SMD 110 OHM 5% 1/16W 0402 | CRCW0402110RJNTD.pdf | |
![]() | E3FB-DN22 | BRASSM18,0.3M DIFF,AX,NPN,CONN | E3FB-DN22.pdf | |
![]() | MS4800B-20-1160 | SAFETY LIGHT CURTAIN | MS4800B-20-1160.pdf |