Susumu RG2012P-562-W-T5
- 제조업체 부품 번호
- RG2012P-562-W-T5
- 제조업 자
- Susumu
- 제품 카테고리
- 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT)
- 간단한 설명
- RES SMD 5.6K OHM 0.05% 1/8W 0805
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
RG2012P-562-W-T5 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 219.24300
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of RG2012P-562-W-T5, we specialize in all series Susumu electronic components. RG2012P-562-W-T5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RG2012P-562-W-T5, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- RG2012P-562-W-T5 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
RG2012P-562-W-T5 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-RG2012P-562-W-T5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | RG Series | |
| 제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Susumu | |
| 계열 | RG | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 5.6k | |
| 허용 오차 | ±0.05% | |
| 전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
| 구성 | 박막 | |
| 특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
| 온도 계수 | ±25ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 0805 | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
| 높이 | 0.020"(0.50mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | RG2012P-562-W-T5 | |
| 관련 링크 | RG2012P-, RG2012P-562-W-T5 Datasheet, Susumu Distributor | |
RG2012P-562-W-T5 의 관련 제품
-55.jpg) | C1608JB1H334M080AB | 0.33µF 50V 세라믹 커패시터 JB 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608JB1H334M080AB.pdf | |
 | C901U390JYSDAAWL35 | 39pF 400VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U390JYSDAAWL35.pdf | |
 | TAJE107M016H | 100µF Molded Tantalum Capacitors 16V 2917 (7343 Metric) 900 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TAJE107M016H.pdf | |
 | 9C25000702 | 25MHz ±30ppm 수정 18pF -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C25000702.pdf | |
 | FA-238V 12.0000MD20Y-W5 | 12MHz ±30ppm 수정 12pF 100옴 -30°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238V 12.0000MD20Y-W5.pdf | |
| SIT1602AI-13-18E-60.000000D | OSC XO 1.8V 60MHZ OE | SIT1602AI-13-18E-60.000000D.pdf | |
| SIT9001AC-33-33D6-100.00000T | OSC XO 3.3V 100MHZ SD 0.50% | SIT9001AC-33-33D6-100.00000T.pdf | |
 | SI7405BDN-T1-E3 | MOSFET P-CH 12V 16A PPAK 1212-8 | SI7405BDN-T1-E3.pdf | |
| PD73R-562M | 5.6µH Unshielded Wirewound Inductor 1.9A 65 mOhm Max Nonstandard | PD73R-562M.pdf | |
-4.jpg) | RAVF164DZT0R00 | RES ARRAY 4 RES ZERO OHM 1206 | RAVF164DZT0R00.pdf | |
 | SFR2500001133FR500 | RES 113K OHM 0.4W 1% AXIAL | SFR2500001133FR500.pdf | |
 | RSMF5JT470R | RES METAL OX 5W 470 OHM 5% AXL | RSMF5JT470R.pdf |
