창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG2012V-1330-W-T1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 133 | |
허용 오차 | ±0.05% | |
전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±5ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0805 | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RG2012V-1330-W-T1 | |
관련 링크 | RG2012V-, RG2012V-1330-W-T1 Datasheet, Susumu Distributor |
VJ1206A222JBAAT4X | 2200pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206A222JBAAT4X.pdf | ||
SIT8918AE-33-33E-66.6660000Y | OSC XO 3.3V 66.666MHZ OE | SIT8918AE-33-33E-66.6660000Y.pdf | ||
3SBMB4 | BRIDGE RECT 3A 400V PCB | 3SBMB4.pdf | ||
SI3442CDV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP | SI3442CDV-T1-GE3.pdf | ||
DRA125-221-R | 220µH Shielded Wirewound Inductor 1.142A 416 mOhm Nonstandard | DRA125-221-R.pdf | ||
8250-220K-RC | 22µH Shielded Wirewound Inductor 565mA 742 mOhm Max Axial | 8250-220K-RC.pdf | ||
0925-183J | 18µH Shielded Molded Inductor 108mA 3.8 Ohm Max Axial | 0925-183J.pdf | ||
TE1200B150RJ | RES CHAS MNT 150 OHM 5% 1200W | TE1200B150RJ.pdf | ||
RT0805FRE078K45L | RES SMD 8.45K OHM 1% 1/8W 0805 | RT0805FRE078K45L.pdf | ||
CMF555K9000BEBF | RES 5.9K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF555K9000BEBF.pdf | ||
85F13K3 | RES 13.3K OHM 5W 1% AXIAL | 85F13K3.pdf | ||
E2B-M18LN10-M1-C2 | Inductive Proximity Sensor 0.394" (10mm) IP67 Cylinder, Threaded - M18 | E2B-M18LN10-M1-C2.pdf |