창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG3216N-1473-B-T5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | Cert of RoHS Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 147k | |
허용 오차 | ±0.1% | |
전력(와트) | 0.25W, 1/4W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±10ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 1206 | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RG3216N-1473-B-T5 | |
관련 링크 | RG3216N-, RG3216N-1473-B-T5 Datasheet, Susumu Distributor |
UHE1V222MHD | 2200µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | UHE1V222MHD.pdf | ||
TC692 | 150µF 350V Aluminum Capacitors Axial, Can 960 mOhm @ 120Hz 1000 Hrs @ 85°C | TC692.pdf | ||
GRM0335C2A6R2CA01D | 6.2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C2A6R2CA01D.pdf | ||
VJ1812A222KBCAT4X | 2200pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A222KBCAT4X.pdf | ||
CL10C681JA8NNNC | 680pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CL10C681JA8NNNC.pdf | ||
123SPC080A | DIODE SCHOTTKY 80V 120A SPD-3A | 123SPC080A.pdf | ||
1EZ120DE3/TR8 | DIODE ZENER 120V 1W DO204AL | 1EZ120DE3/TR8.pdf | ||
UP4B-151-R | 150µH Unshielded Wirewound Inductor 1.7A 239.2 mOhm Max Nonstandard | UP4B-151-R.pdf | ||
MCR01MRTF1203 | RES SMD 120K OHM 1% 1/16W 0402 | MCR01MRTF1203.pdf | ||
AT0402CRD071K43L | RES SMD 1.43K OHM 1/16W 0402 | AT0402CRD071K43L.pdf | ||
CA0002330R0KS73 | RES 330 OHM 2W 10% AXIAL | CA0002330R0KS73.pdf | ||
UB5C-4K7F8 | RES 4.7K OHM 5W 1% AXIAL | UB5C-4K7F8.pdf |