창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG3216P-3003-D-T5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | Cert of RoHS Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 300k | |
허용 오차 | ±0.5% | |
전력(와트) | 0.25W, 1/4W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±25ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 1206 | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RG3216P-3003-D-T5 | |
관련 링크 | RG3216P-, RG3216P-3003-D-T5 Datasheet, Susumu Distributor |
VJ0805D120MLAAJ | 12pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D120MLAAJ.pdf | ||
VJ2225A332JBGAT4X | 3300pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2225(5763 미터법) 0.226" L x 0.250" W(5.74mm x 6.35mm) | VJ2225A332JBGAT4X.pdf | ||
CD30FD223FO3F | 0.022µF Mica Capacitor 500V Radial 0.831" L x 0.461" W (21.10mm x 11.70mm) | CD30FD223FO3F.pdf | ||
80812000075 | FUSE BOARD MNT 2A 250VAC 450VDC | 80812000075.pdf | ||
ABM11AIG-25.000MHZ-4-T3 | 25MHz ±30ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM11AIG-25.000MHZ-4-T3.pdf | ||
1782R-83F | 430µH Unshielded Molded Inductor 36mA 42 Ohm Max Axial | 1782R-83F.pdf | ||
G6J-2FS-Y DC3 | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Surface Mount | G6J-2FS-Y DC3.pdf | ||
KTR03EZPF6801 | RES SMD 6.8K OHM 1% 1/10W 0603 | KTR03EZPF6801.pdf | ||
AT1206DRE0711R8L | RES SMD 11.8 OHM 0.5% 1/4W 1206 | AT1206DRE0711R8L.pdf | ||
ERJ-S1DF4701U | RES SMD 4.7K OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-S1DF4701U.pdf | ||
FCB210RJ | RES 10 OHM 2W 5% RADIAL | FCB210RJ.pdf | ||
H4619RBZA | RES 619 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4619RBZA.pdf |