창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG3216V-3651-B-T5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | Cert of RoHS Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 3.65k | |
허용 오차 | ±0.1% | |
전력(와트) | 0.25W, 1/4W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±5ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 1206 | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RG3216V-3651-B-T5 | |
관련 링크 | RG3216V-, RG3216V-3651-B-T5 Datasheet, Susumu Distributor |
0805ZD226MAT2A | 22µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | 0805ZD226MAT2A.pdf | ||
C315C331K2R5TA | 330pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | C315C331K2R5TA.pdf | ||
SR152A4R7DAA | 4.7pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR152A4R7DAA.pdf | ||
VJ2225A183KBCAT4X | 0.018µF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2225(5763 미터법) 0.226" L x 0.250" W(5.74mm x 6.35mm) | VJ2225A183KBCAT4X.pdf | ||
24FDMSJ20 | FUSE 24KV 20A DIN 1086 | 24FDMSJ20.pdf | ||
5SF 10 | FUSE GLASS 10A 250VAC 5X20MM | 5SF 10.pdf | ||
SMCJ160C | TVS DIODE 160VWM 271.95VC SMC | SMCJ160C.pdf | ||
416F3601XAKT | 36MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F3601XAKT.pdf | ||
TNPW2512787RBEEG | RES SMD 787 OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW2512787RBEEG.pdf | ||
CRCW0805150RDHEAP | RES SMD 150 OHM 0.5% 1/8W 0805 | CRCW0805150RDHEAP.pdf | ||
Y00221M00000A9L | RES 1M OHM 1/2W 0.05% RADIAL | Y00221M00000A9L.pdf | ||
PXV1220S-6DBN7-T | RF Attenuator 6dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 0.063W, 1/16W 0805 (2012 Metric) | PXV1220S-6DBN7-T.pdf |